Communication Dans Un Congrès Année : 2018

Developments in 300mm Low-Power Si Capacitive Modulators Invited paper

C. Baudot
  • Fonction : Auteur
I. Charlet
M. Douix
  • Fonction : Auteur
S. Guerber
  • Fonction : Auteur
S. Crémer
  • Fonction : Auteur
N. Vulliet
  • Fonction : Auteur
J. Planchot
  • Fonction : Auteur
R. Blanc
  • Fonction : Auteur
L. Babaud
  • Fonction : Auteur
E. Cassan
L. Vivien
F. Boeuf
  • Fonction : Auteur

Résumé

We report on the development of high speed phase shifters for next generation of Si photonics transceivers, based on capacitive structures. Experimental measurements show a VL of 0.5V.cm in accumulation regime. We also show that the addition of a SiGe layer at the capacitive interface leads to an improvement of 25 % of the phase shifter efficiency.
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Origine Fichiers produits par l'(les) auteur(s)

Dates et versions

hal-04475225 , version 1 (23-02-2024)

Identifiants

  • HAL Id : hal-04475225 , version 1

Citer

C. Baudot, I. Charlet, M. Douix, S. Guerber, S. Crémer, et al.. Developments in 300mm Low-Power Si Capacitive Modulators Invited paper. European Conference on Integrated Optics (ECIO), May 2018, Valencia, Spain. ⟨hal-04475225⟩
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